融合STDP规则的忆阻联想记忆电路 |
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引用本文: | 杨乐,徐晏阳,丁芝侠,李赛.融合STDP规则的忆阻联想记忆电路[J].武汉大学学报(理学版),2023(6):819-826. |
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作者姓名: | 杨乐 徐晏阳 丁芝侠 李赛 |
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作者单位: | 武汉工程大学电气信息学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助(62106181,62176189); |
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摘 要: | 脉冲时序依赖可塑性规则和联想记忆规则共同描述了神经元突触的可塑性,对生物的学习和遗忘有重要的影响。现有的脉冲时序依赖可塑性规则与忆阻器结合的相关研究,仅实现了联想记忆的学习功能。基于此,融合脉冲时序依赖可塑性规则设计了一种新的忆阻联想记忆电路。首先,分析脉冲时序依赖可塑性规则和联想记忆规则之间的联系;接着,设计一种具备延时功能的模块,融合两种规则;进一步,结合模块设计了一种忆阻联想记忆电路,实现了学习和三种遗忘功能;最后,通过PSPICE仿真验证了学习和三种遗忘功能,以及所提出方案的有效性。
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关 键 词: | 忆阻器 联想记忆电路 脉冲时序依赖可塑性规则 |
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