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ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响
引用本文:刘国群,雷虹,方奇. ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响[J]. 化学学报, 2004, 62(1): 10-15
作者姓名:刘国群  雷虹  方奇
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学信息科学与工程学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学化学与化工学院,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金 (No.2 0 1 72 0 34),教育部高等学校骨干教师基金资助项目
摘    要:
采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 .计算得到 (ET) 2 C3 H5SO3 ·H2 O ,(ET) 2 HgCl3 ·TCE两个晶体的带隙分别为0 5 79,0 .5 72eV ,与实验得到的导电激活能 0 .3 19,0 .3 0 8eV符合较好 .

关 键 词:能带结构  ET类分子导体  导电性

Influence of 3d Orbital on the Energy Band and Electrical Conductivity in ET-type Molecular Conductor
LIU,Guo-Quna LEI,Hongb FANG,Qi,a,c. Influence of 3d Orbital on the Energy Band and Electrical Conductivity in ET-type Molecular Conductor[J]. Acta Chimica Sinica, 2004, 62(1): 10-15
Authors:LIU  Guo-Quna LEI  Hongb FANG  Qi  a  c
Abstract:
Keywords:energy band structure   ET-type molecular conductor   electrical conductivity
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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