首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      


Temperature and concentration dependence of epitaxial growth rate in Sb and Ga implanted Si
Authors:S U Campisano  Chu Te Chang
Institution:1. Istituto Dipartimentale di Fisica, Corso Italia 57, I-95129, Catania, Italy
Abstract:
Keywords:
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号