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| GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制 | |
| 作者姓名： | 蒋维栋 樊永良 盛篪 俞鸣人 |
| 作者单位： | 复旦大学表面物理实验室,上海200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家教育委员会博士点基金资助的课题 |
| 摘 要： | 用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。
关键词： |
| 关 键 词： | GaP衬底 分子束 外延 硅 P偏析 |
| 收稿时间： | 1989-11-13 |
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