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| GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展 | |
| 作者姓名： | 张广军 顾冬红 王阳 吴谊群 干福熹 |
| 摘 要： | 自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点． |
| 关 键 词： | 光盘 光存储 高密度存储 蓝光 相变材料 锗锑碲材料 银铟锑碲材料 |
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