| (Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能 |
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| 作者姓名： | 夏燕杰 周德凤 孟健 |
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| 作者单位： | 1. 长春工业大学化学与生命科学学院,长春,130012
2. 中国科学院长春应用化学研究所,稀土化学与物理国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科技发展计划 |
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| 摘 要： | ![]()
采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200 ℃烧结样品24 h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=O.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和O.19 S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96 S·m-1.
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| 关 键 词： | 钕掺杂氧化铈 氧化钼 微观结构 晶界电导率 |
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