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X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除
引用本文:吴正龙. X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除[J]. 分析测试学报, 2005, 24(3): 45-47
作者姓名:吴正龙
作者单位:北京师范大学,分析测试中心,北京,100875
摘    要:
X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰.在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的Cls和Nls又会受到ZnLMM干扰.类似地,AlKα激发的GaN样品中Nls受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,Cls峰又受到的GaLMM的干扰.交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析.

关 键 词:光电子峰  俄歇电子峰  CrZnSi合金  双阳极X射线源
文章编号:1004-4957(2005)03-0045-03
修稿时间:2004-05-11

Interference of Auger Electron and Photoelectron Peaks in X-ray Photoelectron Spectroscopic Analysis
WU Zheng-long. Interference of Auger Electron and Photoelectron Peaks in X-ray Photoelectron Spectroscopic Analysis[J]. Journal of Instrumental Analysis, 2005, 24(3): 45-47
Authors:WU Zheng-long
Abstract:
Keywords:XPS  GaN
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