| 三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,李志锋,蔡炜颖,王晓光. 三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱[J]. 发光学报, 2001, 0(2) |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 李志锋 蔡炜颖 王晓光 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系!福建厦门361005(高玉琳，吕毅军，郑健生)，中国科学院上海技术物理研究所!上海200083(李志锋，蔡炜颖，王晓光) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 697760 11)，福建省自然科学基金，上海技术物理所红外物理国家重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2 以外 ,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明 ,随着晶格有序度的增加 ,b/a值减小。这是因为 :一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的 ,另一方面 ,还可能有LO1模和LO2 模分裂的贡献。在实验上 ,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族半导体 喇曼散射 有序度 |
Raman Spectra of Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52) |
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| GAO Yu lin ,LU Yi jun ,ZHENG Jian sheng ,LI Zhi feng ,CAI Wei ying ,WANG Xiao guang. Raman Spectra of Ga_xIn_(1-x)P(x=0.52)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001, 0(2) |
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| Authors: | GAO Yu lin LU Yi jun ZHENG Jian sheng LI Zhi feng CAI Wei ying WANG Xiao guang |
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| Affiliation: | GAO Yu lin 1,LU Yi jun 1,ZHENG Jian sheng 1,LI Zhi feng 2,CAI Wei ying 2,WANG Xiao guang 2 |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | semiconductor Raman scattering atom ordering |
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