| 基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能 |
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| 引用本文： | 蔡镇准,胡晓龙,刘丽,王洪.基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能[J].发光学报,2015,36(6). |
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| 作者姓名： | 蔡镇准 胡晓龙 刘丽 王洪 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心,广东广州,510640 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，广东省战略性新兴产业专项资金，中央高校基本科研业务费 |
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| 摘 要： | 为解决GaN基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs.与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 mA输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0％,并有更好的电流响应效率.同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7％和67.5％,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解.
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| 关 键 词： | GaN 垂直结构LEDs 混合型量子阱 效率下降 |
Performance of GaN-based Vertical Structure Light Emitting Diodes with Hybrid Quantum Wells |
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| CAI Zhen-zhun,HU Xiao-long,LIU Li,WANG Hong.Performance of GaN-based Vertical Structure Light Emitting Diodes with Hybrid Quantum Wells[J].Chinese Journal of Luminescence,2015,36(6). |
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| Authors: | CAI Zhen-zhun HU Xiao-long LIU Li WANG Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN vertical structure LEDs hybrid quantum well efficiency droop |
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