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场冷和零场冷过程中磁化强度的模型化与数值模拟
作者姓名:李世亮  闻海虎  赵忠贤
作者单位:中科院物理研究所国家超导实验室,凝聚态中心!北京100080,中科院物理研究所国家超导实验室,凝聚态中心!北京100080,中科院物理研究所国家超导实验室,凝聚态中心!北京100080
摘    要:通过采用蒙特卡罗模拟方法和磁通运动的热激活模型(TAFM) ,本文计算了在场冷(FC)和零场冷(ZFC) 过程中的磁场位形及磁化强度.基于简单的KimAnderson 模型的U(j) 依赖关系,主要的实验结果都可以较好的被模拟.计算表明,在零场冷中,磁场位形非常接近Bean 临界态模型,而在场冷中则相反,表现的是磁通冻结的图象.零场冷和场冷中的磁化强度都很强的依赖于钉扎势和临界电流密度,而只微弱的依赖于温度变化的速度

关 键 词:场冷 零场冷 超导体 磁化强度 模型化 数值模拟
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