| 纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究 |
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| 引用本文： | 杨世才,阿布都艾则孜·阿布来提,简基康,郑毓峰,孙言飞,吴荣.纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究[J].人工晶体学报,2010,39(1):190-196. |
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| 作者姓名： | 杨世才 阿布都艾则孜·阿布来提 简基康 郑毓峰 孙言飞 吴荣 |
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| 作者单位： | 新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐,830046 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.10864004;No.50862008);;新疆大学博士启动基金(No.BS060110;No.BS080109) |
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| 摘 要： | 在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.
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| 关 键 词： | 氮化铝 磁控反应溅射 择优取向 |
Preparation and Properties of AlN Thin Films by Pure Nitrogen Reactive Sputtering |
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| YANG Shi-cai,ABDULEZIZ Ablat,JIAN Ji-kang,ZHENG Yu-feng,SUN Yan-fei,WU Rong.Preparation and Properties of AlN Thin Films by Pure Nitrogen Reactive Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(1):190-196. |
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| Authors: | YANG Shi-cai ABDULEZIZ Ablat JIAN Ji-kang ZHENG Yu-feng SUN Yan-fei WU Rong |
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| Institution: | School of Physics Science and Technology;Xinjiang University;Urumqi 830046;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN magnetron reactive sputtering preferred orientation |
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