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| 透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究 | |
| 作者姓名： | 杨智 邹继军 常本康 |
| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60678043,60801036)资助的课题. |
| 摘 要： | 通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为16—22 μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度进行了仿真分析,发现厚度为20 μm时阴极积分灵敏度最大.外延生长阴极厚度分别为16和20 μm的两种透射式指数掺杂GaAs样品并进行了激活实验,测得样品的积分灵敏度分别为1228和1547 μA/lm,两者的比值为796%. 实验结果与仿真结果符合.
关键词：
GaAs光电阴极
透射式
指数掺杂
厚度 |
| 关 键 词： | GaAs光电阴极 透射式 指数掺杂 厚度 |
| 收稿时间： | 2009-09-08 |
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