利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚 … |
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引用本文: | 廖克俊,王万录.利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚 …[J].人工晶体学报,1998,27(2):137-140. |
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作者姓名: | 廖克俊 王万录 |
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摘 要: | 本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜。由Raman背散射强度(在1332cm^-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia〔110〕∥Si〔110〕。在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。
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关 键 词: | 金刚石膜 热灯丝CVD 发射电子 成核 薄膜 |
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