| 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀) |
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| 引用本文： | 王予晓,朱凌妮,仲莉,等. 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究（特邀）［J］.光子学报,2022,51（2）：0251210DOI：10.3788/gzxb20225102.0251210 |
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| 作者姓名： | 王予晓 朱凌妮 仲莉 祁琼 李伟 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心,北京 100083;2.中国科学院大学 电子电气与通信工程学院,北京 100049;3.中国科学院大学 材料科学与光电技术学院,北京 100049 |
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| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(62174154) |
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| 摘 要： | 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一.为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺.采用循环退火方式,研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果,当退火温度为830℃,退火时间为10 min,循环次数为...
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| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱混杂 非吸收窗口 腔面光学灾变损伤 硅 退火 |
| 收稿时间： | 2021-11-11 |
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