| HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究 |
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| 作者姓名： | 陈贵宾 陆卫 蔡炜颖 李志锋 陈效双 胡晓宁 何力 沈学础 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室,上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：10074068和60244002)和国家重点基础研究项目(批准号：G1998061404)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在中波响应波段的p型Hg0.709Cd0.291Te(MCT)分子束外延生长薄膜上,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积(500μm×500μm)的n-op-p结.通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流-电压特性和对零偏微分电阻R0分析,观测到p-n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系.在另一片薄膜材料(镉组分值为0.2743)上通过该方法获得R0A优于现有常规数值的探测器单元.
关键词：
p-n结
离子注入
碲镉汞薄膜
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| 关 键 词： | p-n结 离子注入 碲镉汞薄膜 |
| 收稿时间： | 2003-01-24 |
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