| GaSb单晶空间生长 |
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| 引用本文： | 葛培文,李超荣,霍崇儒,西永颂,中村卓义,黄卫东,A.E.Voloshin,A.A.Lomov.GaSb单晶空间生长[J].中国科学A辑,2001,31(1):56-62. |
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| 作者姓名： | 葛培文 李超荣 霍崇儒 西永颂 中村卓义 黄卫东 A.E.Voloshin A.A.Lomov |
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| 作者单位： | (1)中国科学院物理研究所，北京 100080 ,中国;(2)Department of Electronics Engineering, The University of Tokyo 7-3-1, llongo, Bunkyo-Ku, Tokyo 113, Japan;(3)Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Leninsky Prospect59 117333 Moscow, Russia |
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| 基金项目： | 中国科学院基金资助项目 |
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| 摘 要： | 空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境，为提高晶体质量创造了条件，引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作，1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示：晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹，表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明，晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零，而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究，分析了微重力对晶体生长的影响，并对空间晶体生长的发展提出看法.
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| 关 键 词： | 半导体 单晶生长 空间 微重力 返回式卫星 锑化镓 |
| 收稿时间： | 2000-08-08 |
| 修稿时间： | 2000年8月8日 |
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