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| MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究 | |
| 引用本文： | 王水凤,曾宇昕,程国安,徐飞.MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究[J].南昌大学学报(理科版),2002,26(3):259-261. |
| 作者姓名： | 王水凤 曾宇昕 程国安 徐飞 |
| 作者单位： | 1. 南昌大学,物理学系,江西,南昌,330047 2. 南昌大学,材料科学与工程系,江西,南昌,330047 3. 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室,北京,100875 4. 复旦大学应用物理表面国家重点实验室,上海,200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69766001) |
| 摘 要： | 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中，可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测，随着退火温度的升高，注入层的薄层方块电阻R□显著下降，注入层形成Nd5Si4和NdSi两种硅化钕相，并逐渐向NdSi相转变。 |
| 关 键 词： | MEVVA源 离子注入 钕硅化物 结构 集成电路 离子束工艺 结晶性能 导电性 |
| 文章编号： | 1006-0464(2002)03-0259-03 |
| 修稿时间： | 2001年6月8日 |
STUDY OF Nd SILICIDES SYNTHESIS BY MEVVA SOURCE ION IMPLANTATION |
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