| BaTiO3,CeO2和NaCl晶体的生长习性 |
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| 作者姓名： | 李汶军 施尔畏 郑燕青 吴南春 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目,59772002,59832080, |
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| 摘 要： | 在各种晶体的结构类型中BaTiO3、CeO2和NaCl晶体的结构相对比较简单,但是它们的生长习性一直得不到合理的解释.如PBC理论很难合理解释BaTiO3、NaCl和CeO2晶体的生长习性及习性变化.本文采用配位多面体生长习性法则研究了BaTiO3晶体,CeO2晶体和NaCl晶体的理论生长习性.发现BaTiO3晶体的生长习性为立方八面体;CeO2晶体的生长习性为立方体;NaCl晶体的生长习性为八面体,解释了溶液的过饱和度对NaCl晶体的生长习性的影响.
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| 关 键 词： | BaTiO3晶体 CeO2晶体 NaCl晶体 水热法 生长习性 |
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