| GaAs中的离子注入技术 |
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| 引用本文： | 李国辉 姬成周. GaAs中的离子注入技术[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 177-180. DOI: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177 |
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| 作者姓名： | 李国辉 姬成周 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所 |
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| 摘 要： | 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si+, S+, Be+, Mg+, B+, O+ have been investigated in this paper.
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| 关 键 词： | GaAs 离子注入 白光快速退火 |
| 收稿时间： | 1900-01-01 |
Ion Implantation in GaAs |
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| Affiliation: | Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal University; Beijing 100875 |
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| Abstract: | Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si+, S+, Be+, Mg+, B+, O+ have been investigated in this paper. |
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| Keywords: | |
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