铜铟硒膜及其离子注入后的光电特性研究

为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理,在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上,通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明,随着退火温度、溅射功率的改变,薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化,且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现,黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失,表面晶格损伤较大;单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大,而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率,双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。