| 采用AlSb缓冲层生长2.3μmInGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 |
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| 作者姓名： | 尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华 |
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| 作者单位： | 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 高功率半导体激光国家重点实验室预研基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | ![]()
针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。
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| 关 键 词： | AlSb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物 |
| 收稿时间： | 1900-01-01; |
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