| Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质 |
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| 作者姓名： | 张昌华 余志强 廖红华 |
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| 作者单位： | 1.湖北民族学院 电气工程系,湖北 恩施,445000;2.华中科技大学 光学与电子信息学院 武汉光电国家重点实验室,湖北 武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61263030); 湖北省教育厅科学技术研究计划(B20122903)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47eV。同时通过Te掺杂,使单层MoS2的静态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。
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| 关 键 词： | 第一性原理 单层MoS2 电子结构 光电性质 |
| 收稿时间： | 2014-04-16 |
| 修稿时间： | 2014-05-07 |
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