| 强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析 |
| |
| 作者姓名： | 胡伟 豆贤安 孙晓泉 |
| |
| 作者单位： | 1.脉冲功率激光技术国家重点实验室, 电子工程学院,合肥,230037 |
| |
| 基金项目： | The Key Laboratory Foundation (No.13J1003) |
| |
| 摘 要： | 以InGaAsp-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子-空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化.
|
| 关 键 词： | 空间电荷屏蔽 光电二极管 非线性响应 耗尽区 强光辐照 |
| 收稿时间： | 2013-10-22 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光子学报》下载全文 |
|
