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| 我国首次空间生长GaAs单晶实验的结果分析 | |
| 作者姓名： | 黄良甫 谢燮 谈晓臣 张中礼 何平 |
| 作者单位： | 中国空间技术研究院兰州物理研究所,兰州,730000 |
| 摘 要： | 在空间微重力环境中,用重熔再结晶法从悬浮熔体生长了掺杂Te-GsAs单晶,晶体从中间断开表明长悬浮熔体的不稳定性,晶体中部未见杂质条纹说明浮力对流已消失,而外层有杂质条纹表明存在Marangoni对流,晶体中杂质含量减少和宏观分布不均匀,是短熔区杂质分凝机制控制和杂质Te从熔体挥发的结果,晶体中的高位错缺陷是快速生长和退火时产生的热应力以及界面籽晶侧的空位团崩塌造成的。
关键词： |
| 关 键 词： | GaAs 空间实验 晶体生长 半导体 |
| 收稿时间： | 1990-04-26 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |