| SiO2/Zn1-xMgxO复合半导体颗粒的制备及其光谱特性 |
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| 引用本文： | 陈渊,冯华君,唐芳琼,任俊.SiO2/Zn1-xMgxO复合半导体颗粒的制备及其光谱特性[J].无机化学学报,2006,22(2):233-232. |
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| 作者姓名： | 陈渊 冯华君 唐芳琼 任俊 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院理化技术研究所,北京,100101;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院理化技术研究所,北京,100101 |
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| 摘 要： | 利用异相成核种子生长法,采用锌镁盐浸渍和800℃固态烧结两处理步骤,在亚微米级的单分散SiO2球上沉积Zn1-xMgxO。通过XRD、TEM和SEM表征,SiO2表面具有一层约17nm厚的Zn1-xMgxO壳层,EDX证明其组成为Si、O、Mg、Zn,同SiO2/ZnO比较,UV-Vis测试发现其具有更好的紫外吸收性能,红外谱图显示SiO2表面的硅羟基被SiO2和Zn1-xMgxO之间的界面键取代,在波长290nm的紫外光激发下出现了398nm紫色荧光峰和468nm及451nm2个较强的蓝色荧光峰。
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| 关 键 词： | 掺镁氧化锌 单分散二氧化硅 半导体颗粒 光谱特性 |
| 文章编号： | 1001-4861（2006）02-0233-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-05 |
| 修稿时间： | 2005-10-06 |
Preparation and Spectroscopy Characterization of SiO2/Zn1-xMgxO Semiconductor Composite Particles |
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| CHEN Yuan,FENG Hua-Jun,TANG Fang-Qiong and REN Jun.Preparation and Spectroscopy Characterization of SiO2/Zn1-xMgxO Semiconductor Composite Particles[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2006,22(2):233-232. |
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| Authors: | CHEN Yuan FENG Hua-Jun TANG Fang-Qiong and REN Jun |
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| Institution: | 1 Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100101;2 Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg-doping ZnO monodisperse SiO_2 semiconductor particles spectroscopy characterization |
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