| 尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证 |
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| 引用本文： | 刘艳松,陈铠,乔峰,黄信凡,韩培高,钱波,马忠元,李伟,徐骏,陈坤基.尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证[J].物理学报,2006,55(10):5403-5408. |
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| 作者姓名： | 刘艳松 陈铠 乔峰 黄信凡 韩培高 钱波 马忠元 李伟 徐骏 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京 210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划);国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 基于经典热力学理论，对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核，以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究. 建立了限制性晶化理论模型：在纳米硅生长过程中，由于界面能增大将导致生长停止，给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34 nm. 在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
关键词：
非晶硅
纳米硅
激光辐照
结晶
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| 关 键 词： | 非晶硅 纳米硅 激光辐照 结晶 |
| 收稿时间： | 12 22 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 3/7/2006 12:00:00 AM |
The growth model and experimental validation of size-controlled nanocrystalline silicon |
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| Liu Yan-Song,Chen Kai,Qiao Feng,Huang Xin-Fan,Han Pei-Gao,Qian Bo,Ma Zhong-Yuan,Li Wei,Xu Jun,Chen Kun-Ji.The growth model and experimental validation of size-controlled nanocrystalline silicon[J].Acta Physica Sinica,2006,55(10):5403-5408. |
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| Authors: | Liu Yan-Song Chen Kai Qiao Feng Huang Xin-Fan Han Pei-Gao Qian Bo Ma Zhong-Yuan Li Wei Xu Jun Chen Kun-Ji |
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| Institution: | National Laboratory of Solid State Mircrostructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China |
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| Abstract: | According to the processes of nucleation and growth of nanocrystalline silicon (nc-Si) with shape changing from sphere-like to disc-like in the a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx sandwich structure or a-Si :H/a-SiNx multilayer structure, we have proposed the theoretical model of constrained crystallinzation based on the classical thermodynamics, in which the increase of the interfacial energy between nc-Si and a-SiNx causes the growth of nc-Si to halt, and concludes the critical thickness of a-Si sublayer (34 nm) for constrained crystallization, The model of constrained growth has been validated in a-SiNx/nc-Si/a-SiNx sandwich and nc-Si/a-SiNx multilayer structures formed by laser annealing and thermal annealing. |
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| Keywords: | amorphous silicon nanocrystalline silicon laser irradiation crystallization |
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