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| 超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响 | |
| 作者姓名： | 刘举 曹一伟 吕全江 杨天鹏 米亭亭 王小文 刘军林 |
| 作者单位： | 1.江苏大学材料科学与工程学院;2.圆融光电科技股份有限公司;3.马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 批准号:62374076,62104085;江苏省双创团队项目 批准号:JSSCTD202146 资助的课题~~; |
| 摘 要： | 在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合. |
| 关 键 词： | 深紫外发光二极管 电子阻挡层 可靠性 外量子效率 |