| 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性 |
| |
| 作者姓名： | 周文政 姚炜 朱博 仇志军 郭少令 林铁 崔利杰 桂永胜 褚君浩 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004 |
| |
| 摘 要： | 研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0 .47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不 同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B＜1.5T)下由迁移率谱和 多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d 2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换
关键词：
InAlAs/InGaAs单量子阱
SdH振荡
二维电子气
磁致子带间散射
|
| 关 键 词： | InAlAs/InGaAs单量子阱 SdH振荡 二维电子气 磁致子带间散射 |
| 收稿时间： | 2005-07-05 |
| 修稿时间： | 2005-07-052005-10-19 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
