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氢化非晶硅薄膜的电场诱导锂离子注入及其光伏特性
引用本文:王宝辉 耿新华. 氢化非晶硅薄膜的电场诱导锂离子注入及其光伏特性[J]. 应用化学, 1995, 12(1): 5-8
作者姓名:王宝辉 耿新华
作者单位:吉林大学化学系,南开大学光电子研究所
基金项目:国家科委“八五”攻关资助课题
摘    要:
采用电化学方法,在电场诱导下,对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行锂离子注入,并用光电化学方法对不同条件下处理的a-Si:H薄膜的光伏性质和注入机理进行了研究。结果表明,处理电位小于-0.60V时,理离子注入明显,经过注入的薄膜光伏响应提高60%左右.

关 键 词:非晶硅薄膜,锂离子注入,光伏响应
收稿时间:1994-03-21

Li+Ion Implantation into a-Si:H Film under Inducement of Electric Field and the Photovoltalc Property
Wang Baohui,Wang Dejun,Li Tiejin. Li+Ion Implantation into a-Si:H Film under Inducement of Electric Field and the Photovoltalc Property[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1995, 12(1): 5-8
Authors:Wang Baohui  Wang Dejun  Li Tiejin
Abstract:
Keywords:hydrogenated amorphous silicon film  Li+ ion implantation  ohotovoltage re-sponse  
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