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超导Josephson隧道结性能和超导量子比特电路的设计方案
引用本文:李晓虎,许伟伟,翟计全,李永超,吴培亨.超导Josephson隧道结性能和超导量子比特电路的设计方案[J].低温与超导,2014(11).
作者姓名:李晓虎  许伟伟  翟计全  李永超  吴培亨
作者单位:南京大学电子科学与工程学院超导电子学研究所;
基金项目:国家“973”项目(2011CBA00107,2011CBA00202);国家自然科学基金项目(61371036,11234006,11227904);江苏省自然科学基金项目(BK2012013);中国工程物理研究院太赫兹重点实验室基金(CA-EPTHZ201206)资助
摘    要:超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件。利用悬空掩膜和电子束斜蒸发相结合的工艺方法制备Al/Al2O3/Al超导Josephson隧道结,并且系统研究了底电极、上电极薄膜的厚度及氧化参数等工艺条件与隧道结超导电流密度Jc和面积归一化电阻Rc的关系。设计测量了三种方案的超导量子比特电路,通过对参数和结构的优化测出了较理想的量子比特(qubit)信号。

关 键 词:Al隧道结  超导电流密度  面积归一化电阻  qubit信号
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