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| 利用脉冲激光沉积外延制备CsSnBr3/Si异质结高性能光电探测器 | |
| 作者姓名： | 王爱伟 祝鲁平 单衍苏 刘鹏 曹学蕾 曹丙强 |
| 作者单位： | 1. 济南大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2022YFC3700801);;国家自然科学基金(批准号:51872161); |
| 摘 要： | 钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅钙钛矿半导体尤为重要.利用锡元素替代铅元素并生长高质量的锡基钙钛矿薄膜是实现其光电器件应用的可行方案.本文采用脉冲激光沉积方法,在N型单晶硅(100)衬底上外延生长了一层(100)取向的CsSnBr3钙钛矿薄膜.霍尔效应及电学测试结果表明,基于CsSnBr3/Si半导体异质结在暗态下具有明显的异质PN结电流整流特征,在光照下具有显著的光响应行为,并具有可自驱动、高开关比(104)以及毫秒量级响应/恢复时间等优良光电探测器件性能.本文研究结果表明利用脉冲激光沉积方法在制备新型钙钛矿薄膜异质结、实现快速灵敏的光电探测方面具有重要应用前景. |
| 关 键 词： | 外延 钙钛矿薄膜 异质结 光电探测器 |