| 掺杂B,Cr,Mo,Ti,W,Zr后金刚石中正电子湮灭寿命计算 |
| |
| 作者姓名： | 赵永生 阎峰云 刘雪 |
| |
| 作者单位： | 1. 兰州理工大学,省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室;2. 兰州工业学院机电工程学院;3. 兰州理工大学石油化工学院 |
| |
| 摘 要： | 金属基金刚石复合材料被广泛应用和研究,但金刚石表面预处理所导致的空位、掺杂等缺陷对金属基与金刚石界面性能有很大影响.尽管透射电子显微镜和能谱分析等技术已用于缺陷检测,但这些方法存在局限性.通过计算金刚石中正电子湮灭寿命,可以准确评估金刚石的界面缺陷.本文利用第一性原理计算方法,采用多种正电子湮灭算法和增强因子,计算了金刚石理想晶体、单空位、掺杂B,Cr,Mo,Ti,W和Zr后的正电子湮灭寿命.结果显示,在采用局域密度泛函时,结合Boronski&Nieminen算法以及随机相位近似限制作为湮灭增强因子时,计算得到的正电子湮灭寿命与文献的实验结果更吻合.同时,金刚石中B和Cr的掺杂使正电子湮灭寿命从由单空位119.87 ps增加为148.57 ps和156.82 ps.总体来说,金刚石中的空位和掺杂原子缺陷都会引起正电子湮灭寿命的变化.这些发现为理解和优化金刚石界面提供了有价值的理论依据.
|
| 关 键 词： | 金刚石 掺杂 正电子 湮灭寿命 |
|
|
