摘 要: | ![]() 在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系电压敏陶瓷中,加入能构成压敏特性的钡添加剂,发现除已知的Bi_2O_3和Zn_2.33Sb_0.67O_4晶界相以外,还出现新的晶界相,分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡(BaSb_2O_6)晶相。同时还发现,BaSb_2O_6相是热稳定的,它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量,使晶界相Bi_2O_3,Zn_2.33Sb_0.67O_4和BaSb_2O_6之间的数量有适当比例时,压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高,特别可贵的是反向V—I特性的退阵有很大的改善。
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