| 410～355 nm内四甲基硅的多光子解离和电离研究 |
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| 作者姓名： | 施德恒 刘玉芳 |
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| 作者单位： | 1. 空军第一航空学院基础部,信阳,464000
2. 河南师范大学物理系,新乡,453002 |
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| 摘 要： | 利用平行板电极装置研究了四甲基硅在410～378 nm内的MPI光谱;利用TOF质谱仪研究了该分子在402～371 nm内若干个波长点处的TOF质谱;利用四极质谱装置研究了它在355 nm处的MPI质谱.测得了355 nm下Si(CH3)+n(n=1,2,3,4)及Si+的激光光强指数,以及其信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程的可能通道,得出了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离、Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离、Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.
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| 关 键 词： | 四甲基硅 多光子解离电离 多光子电离解离 反应动力学 质谱 |
| 文章编号： | 1000-0364(2002)02-0126-07 |
| 收稿时间： | 2001-01-11 |
| 修稿时间： | 2002-01-11 |
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