| Si／SiO2多层膜的I-V特性研究 |
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| 引用本文： | 马自军,马书懿.Si／SiO2多层膜的I-V特性研究[J].物理实验,2008,28(5):12-15. |
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| 作者姓名： | 马自军 马书懿 |
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| 作者单位： | [1]甘肃农业大学理学院,甘肃兰州730070 [2]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州780070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.60276015);教育部科学技术研究资助项目(No.204139);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(No.KF-05-03);甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助项目(No.Lxy-02) |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法制备了Si／SiO2多层膜，并对多层膜的FV特性实验结果进行了拟合．分析表明，Si／SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定。单一的电流输运模型不能控制Si／SiO2多层膜的I-V特性，多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素．
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| 关 键 词： | Si／SiO2多层膜 I-V特性 射频磁控溅射 电流输运 |
| 文章编号： | 1005-4642(2008)05-0012-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月10 |
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