| p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究 |
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| 引用本文： | 季海铭,曹玉莲,杨涛,马文全,曹青,陈良惠.p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究[J].物理学报,2009,58(3):1896-1900. |
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| 作者姓名： | 季海铭 曹玉莲 杨涛 马文全 曹青 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863）（批准号：2006AA03Z401）中国科学院“百人计划”和国家自然科学基金（批准号：60776043, 60706008）资助的课题. |
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| 摘 要： | 对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上，测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系，拟合出的最大模式增益为175 cm-1，与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明，p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响，并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益，而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.
关键词：
最大模式增益
p型掺杂
InAs/GaAs量子点激光器
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| 关 键 词： | 最大模式增益 p型掺杂 InAs/GaAs量子点激光器 |
| 收稿时间： | 2008-07-23 |
| 修稿时间： | 9/2/2008 12:00:00 AM |
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