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| 沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性 | |
| 作者姓名： | 谭伟石 蔡宏灵 刘金生 吴小山 蒋树声 贾全杰 |
| 作者单位： | 1 南京理工大学理学院应用物理系 南京 210094;2 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京大学物理系 南京 210093;3 中国科学院高能物理研究所 北京 100049 |
| 摘 要： | 利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度. |
| 关 键 词： | La0.7Ca0.3MnO3薄膜 掠入射X射线衍射 应变弛豫 磁电阻特性 |
| 收稿时间： | 2005-10-28 |
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