| 电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4-δ中Cu位V替代对超导电性的影响 |
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| 引用本文： | 刘芬,曹世勋,黎文峰,李领伟,池长昀,敬超,张金仓. 电子型超导体Pr1.85Ce0.15CuO4-δ中Cu位V替代对超导电性的影响[J]. 低温物理学报, 2005, 27(Z1): 432-438 |
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| 作者姓名： | 刘芬 曹世勋 黎文峰 李领伟 池长昀 敬超 张金仓 |
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| 作者单位： | 上海市上大路99号,上海大学物理系,200444 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，上海市教委"曙光计划"，上海市教委资助项目 |
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| 摘 要： | 本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4 离子替代Cu2 离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4 离子替代Cu2 离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4 替代Cu2 对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.
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| 关 键 词： | 电子型高温超导体 超导电性 微观结构 载流子浓度 |
| 修稿时间： | 2005-04-03 |
EFFECT OF V4+SUBSTITUTION FOR Cu2+ IN ELECTRON-DOPED SUPERCONDUCTOR Pr1.85Ce0.15CuO4-δ |
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| LIU FEN,CAO SHI-XUN,LI WEN-FENG,LI LING-WEI,CHI CHANG-YUN,JING CHAO,ZHANG JIN-CANG. EFFECT OF V4+SUBSTITUTION FOR Cu2+ IN ELECTRON-DOPED SUPERCONDUCTOR Pr1.85Ce0.15CuO4-δ[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2005, 27(Z1): 432-438 |
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| Authors: | LIU FEN CAO SHI-XUN LI WEN-FENG LI LING-WEI CHI CHANG-YUN JING CHAO ZHANG JIN-CANG |
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