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| 负电子亲和势GaAs光电阴极中的三光子激发和发射的理论研究 | |
| 作者姓名： | 王力鸣 侯洵 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 西安710068 (王力鸣),中国科学院西安光学精密机械研究所 西安710068(侯洵) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金会资助的项目 |
| 摘 要： | 将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. |
| 关 键 词： | 微扰 吸收 发射 GaAs半导体 多光子 |
| 收稿时间： | 1991-02-12 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |