| 掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响 |
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| 引用本文： | 朱辉,黄剑锋,曹丽云,曾燮榕,熊信柏,吴建鹏.掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响[J].人工晶体学报,2009,38(3):681-684. |
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| 作者姓名： | 朱辉 黄剑锋 曹丽云 曾燮榕 熊信柏 吴建鹏 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 教育部"新世纪优秀人才支持计划"，陕西科技大学研究生创新基金，深圳市特种功能材料重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4;以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 ;的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.
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| 关 键 词： | ZnS:Cu薄膜 电沉积 掺杂浓度 光致发光 |
Influence of Doping Concentration on ZnS:Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition |
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| ZHU Hui,HUANG Jian-feng,CAO Li-yun,ZENG Xie-rong,XIONG Xin-bo,WU Jian-peng.Influence of Doping Concentration on ZnS:Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(3):681-684. |
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| Authors: | ZHU Hui HUANG Jian-feng CAO Li-yun ZENG Xie-rong XIONG Xin-bo WU Jian-peng |
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| Institution: | 1.Key Laboratory of Auxiliary Chemistry & Technology for Chemical Industry;Ministry of Education;Shaanxi University of Science & Technology;Xi'an 710021;China;2.Shenzhen Key Laboratory for Special Functional Materials;Shenzhen University;Shenzhen 518060;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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