首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

推拉电子取代基对二茂铁衍生物性质及电子结构的影响
引用本文:柴向东,姜月顺,杨文胜,张东,曹云伟,诸真家,李铁津.推拉电子取代基对二茂铁衍生物性质及电子结构的影响[J].高等学校化学学报,1996(12).
作者姓名:柴向东  姜月顺  杨文胜  张东  曹云伟  诸真家  李铁津
作者单位:吉林大学化学系
摘    要:根据前线轨道理论分析3种具有推拉电子取代基的二茂铁衍生物循环伏安曲线、电子吸收光谱及光谱电化学行为,并给出了分子轨道能级图,实验结果表明,PⅡ有两对可逆氧化还原峰,E1、E2分别为0.33、0.59V,第一氧化态PⅡ+ ̄(D—Fc ̄+—R)在613nm有强的LMCT(ligand-to-metal-charge-transfer)带,是一种良好的光学特性氧化还原开关.PⅡ在354nm处出现强的LMCT带,PⅢ在356nm和320nm处分别出现强的LMCT和π→πCT带,应具有较高的二阶分子极化系数,应当是较好的SHG材料.

关 键 词:二茂铁衍生物,推拉电子取代基,电子结构,光谱电化学

Effect of Electron Pushing and Drawing Substituents on Properties and Electronic Structures of Derivatives
CHAI Xhng-Dong,JIANG Yue-Shun,YANG Wen-Sheng ZHANG Dong,CAO Yun-Wei,ZHU Zhen-Jia,LI Tie-Jin.Effect of Electron Pushing and Drawing Substituents on Properties and Electronic Structures of Derivatives[J].Chemical Research In Chinese Universities,1996(12).
Authors:CHAI Xhng-Dong  JIANG Yue-Shun  YANG Wen-Sheng ZHANG Dong  CAO Yun-Wei  ZHU Zhen-Jia  LI Tie-Jin
Abstract:
Keywords:Ferrocene derivatives  Electronic pushing and drawing substituents  Electronic structures  Spectroelectrochemistry  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号