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生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究
引用本文:杨园静,涂洁磊,李,雷,姚,丽.生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究[J].人工晶体学报,2014,43(2):461-464.
作者姓名:杨园静  涂洁磊        
作者单位:云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;文山学院信息科学学院,文山663000;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;楚雄师范学院物理与电子科学系,楚雄675000;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;大理学院电子工程及自动化系,大理671003
基金项目:云南省科技计划重点项目(2009CC012);国家高技术发展计划(863计划)(2011AA050512)
摘    要:InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响.本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/C-e(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响.

关 键 词:InAs/GaAs量子点  生长温度  三结叠层量子点电池  

Study on the Effect of Growth Temperatures on the Performance of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells
YANG Yuan-jing,TU Jie-lei,LI Lei,YAO Li.Study on the Effect of Growth Temperatures on the Performance of InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(2):461-464.
Authors:YANG Yuan-jing  TU Jie-lei  LI Lei  YAO Li
Abstract:
Keywords:
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