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| 氢吸附导致的SiC表面金属化 | |
| 引用本文： | 常昊,杨莉,王丽君,吴健,段文晖. 氢吸附导致的SiC表面金属化[J]. 物理, 2005, 34(12): 887-888 |
| 作者姓名： | 常昊 杨莉 王丽君 吴健 段文晖 |
| 作者单位： | 1. 清华大学物理系,北京,100084 2. 井冈山学院,吉安,343000 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA311153）、国家教育部全国优秀博士论文专项基金（批准号：200017）、国家自然科学基金（批准号：10325415,10274038）资助项目 |
| 摘 要： | 文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子. |
| 关 键 词： | 金属化 氢桥键 |
| 收稿时间： | 2005-11-11 |
| 修稿时间： | 2005-11-11 |
Hydrogen adsorption induced metallization of SiC surface |
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| CHANG Hao,YANG Li,WANG Li-Jun,WU Jian,DUAN Wen-Hui. Hydrogen adsorption induced metallization of SiC surface[J]. Physics, 2005, 34(12): 887-888 | |
| Authors: | CHANG Hao YANG Li WANG Li-Jun WU Jian DUAN Wen-Hui |
| Abstract: | |
| Keywords: | metallization hydrogen bridgeboncl |
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