基于小分子半导体IEICO的高性能倍增型有机光电探测器

采用溶液法制备了结构为ITO/ZnO/P3HT：IEICO/Al和ITO/PEDOT：PSS/P3HT：IEICO/Al的倍增型有机光电探测器,活性层中电子给体（P3HT）和电子受体（IEICO）的质量比为100：1。以氧化锌（ZnO）为界面层的器件在正向与反向偏压下都能良好工作,而以PEDOT：PSS为界面层的器件只能在反向偏压下工作。-15V偏压下,与PEDOT：PSS界面层器件相比,ZnO界面层器件的暗电流密度（2.2μA/cm²）降低4倍以上,1.5mW/cm²光照下的光电流密度（3.7mA/cm²）提高3倍以上,外量子效率（Externalquantumefficiency,EQE）平均值（3262%）、响应度平均值（13.3A/W）和探测灵敏度平均值（1.6×10¹³Jones）分别提高4倍、4倍和11倍以上。这些结果表明,以ZnO为倍增型有机光电探测器的界面层,可以降低器件的暗电流密度并提高器件的EQEs,从而显著提高器件的光电性能。