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| 基于SiO | |
| 作者姓名： | 王鑫 赵懿昊 朱凌妮 侯继达 马骁宇 刘素平 |
| 作者单位： | 1.中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.61306057)资助() |
| 摘 要： | 为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO |
| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱混杂 薄膜 光学灾变 非吸收窗口 |
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