| 射频磁控溅射法制备Cu3N薄膜及其性能研究 |
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| 作者姓名： | 袁晓梅 王君 吴志国 岳光辉 闫鹏勋 |
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| 作者单位： | 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 甘肃省自然科学基金重点项目(ZS021-A25-022-C) |
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| 摘 要： | 采用反应射频磁控溅射法,在氮气和氩气的混合气体氛围中,玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了混合气体中氮气分量对Cu3N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响.原子力显微镜,X射线衍射仪,四探针电阻仪,紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明:薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成,表面光滑致密;随着氮气分量的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,电阻率ρ从1.51×102Ω·cm逐渐增加到1.129×103Ω·cm;薄膜的光学带隙在1.34～1.75eV间变化;薄膜的硬度约为6.0GPa,残余模量约为108.3GPa.
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| 关 键 词： | 氮化铜薄膜 射频磁控溅射 表面形貌 电阻率 光学带隙 显微硬度 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）03-0635-06 |
| 收稿时间： | 2005-11-16 |
| 修稿时间： | 2005-11-16 |
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