| AIN单晶生长研究进展 |
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| 引用本文： | 李娟,胡小波,姜守振,陈秀芳,李现祥,王丽,徐现刚,王继扬,蒋民华.AIN单晶生长研究进展[J].人工晶体学报,2006,35(1):177-182. |
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| 作者姓名： | 李娟 胡小波 姜守振 陈秀芳 李现祥 王丽 徐现刚 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.50472068)，教育部“新世纪优秀人才科技计划”资助项目 |
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| 摘 要： | AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.
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| 关 键 词： | 氮化铝 升华法 坩埚材料 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）01-0177-06 |
| 收稿时间： | 2005-06-29 |
| 修稿时间： | 2005-06-29 |
Research Progress in the Growth of Aluminum Nitride Single Crystal |
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| LI Juan,HU Xiao-bo,JIANG Shou-zhen,CHEN Xiu-fang,LI Xian-xiang,WANG Li,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua.Research Progress in the Growth of Aluminum Nitride Single Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(1):177-182. |
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| Authors: | LI Juan HU Xiao-bo JIANG Shou-zhen CHEN Xiu-fang LI Xian-xiang WANG Li XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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| Institution: | State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China |
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| Abstract: | As an important semiconductor material,AlN has a bright future in the microelectronic and optoelectronic fields with its unique combination of properties such as wide bandgap,high breakdown field,high thermal conductivity and high saturated electron drift velocity.This paper reviews the research progress in AlN crystal growth.Structural characteristics,growth methods,problems in the growth process and structural defects are also introduced. |
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| Keywords: | aluminum nitride PVT crucible materials |
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