| 室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性 |
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| 作者姓名： | 刘晓东 王玮竹 高瑞鑫 赵建华 文锦辉 林位株 赖天树 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中山大学物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广州 510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60490295,60678009,10334030)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号：20050558030)资助的课题. |
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| 摘 要： | 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
关键词：
(Ga
Mn)As稀磁半导体
时间分辨克尔光谱
电子自旋弛豫
DP机理
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| 关 键 词： | (Ga Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理 |
| 收稿时间： | 2007-09-03 |
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