中科院物理所自旋霍尔效应研究取得重要进展

中国科学院物理研究所的方忠研究员和姚裕贵副研究员合作在自旋霍尔效应上开展了深入而广泛的探索，并取得了一些创新成果。他们利用第一性原理方法计算了半导体和简单金属的自旋霍尔电导率，发现内秉白旋霍尔电导率具有丰富的符号变化，这一点和外秉自旋霍尔效应有着本质上的不同，这个属性有可能被用于分辨自旋霍尔效应的内秉和外秉机制。他们还首次预言了钨和金具有较大的自旋霍尔效应且符号相反，同时发现强散射并不会拟制这两种金属中的自旋霍尔效应，也就是说在强散射情形下自旋霍尔电导率仍然具有较大的值，这使得它们有可能是一种潜在的可应用于自旋电子学器件中的材料。