| 沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiNx:H薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 闻震利,曹晓宁,周春兰,赵雷,李海玲,王文静.沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiNx:H薄膜特性的影响[J].物理化学学报,2011,27(6):1531-1536. |
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| 作者姓名： | 闻震利 曹晓宁 周春兰 赵雷 李海玲 王文静 |
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| 作者单位： | Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, P. R. China |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划，中国科学院知识创新工程重要方向项目 |
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| 摘 要： | 利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜, 研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表明: SiNx:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231之间, 这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si－H键和N－H键浓度呈现减小趋势, 而Si－N键浓度逐渐升高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiNx:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果. 采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.
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| 关 键 词： | SiNx：H薄膜 沉积温度 结构特性 钝化 太阳电池 效率 |
| 收稿时间： | 2011-01-18 |
| 修稿时间： | 2011-05-10 |
Influence of Deposition Temperature on the SiNx:H Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| WEN Zhen-Li,CAO Xiao-Ning,ZHOU Chun-Lan,ZHAO Lei,LI Hai-Ling,WANG Wen-Jing.Influence of Deposition Temperature on the SiNx:H Film Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J].Acta Physico-Chimica Sinica,2011,27(6):1531-1536. |
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| Authors: | WEN Zhen-Li CAO Xiao-Ning ZHOU Chun-Lan ZHAO Lei LI Hai-Ling WANG Wen-Jing |
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| Institution: | Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, P. R. China |
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| Abstract: | Hydrogenated silicon nitride films were prepared on the p-type polished silicon substrates by the direct plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The influences of deposition temperature on the composition, optical characteristics, structural characteristics, and passivation characteristics of the SiNx:H film were studied. All the solar cell devices were fabricated using industrial state-of-art crystal silicon solar cell technology. The influence of deposition temperature on the as-fabricated cell... |
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| Keywords: | SiNx:H thin film Deposition temperature Structural property Passivation Solar cell Efficiency |
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